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源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710048733.2
  • IPC分类号:H01L29/772
  • 申请日期:
    2007-03-26
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
申请号CN200710048733.2申请日期2007-03-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-08-22公开/公告号CN101022129
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/772
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;2查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市建设北路二段4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人张金平;张波;邓小川;陈壮梁;叶毅;罗小蓉;李肇基
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)代理人徐丰
摘要
本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构,即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽,并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以淀积在平台上;也可以淀积在平台以及栅源极间的凹槽内,形成一个台阶结构。栅漏和栅源间的凹槽阻止了栅电极下的耗尽层向源、漏漂移区扩展,减小了栅源、栅漏电容,从而提高了器件的频率特性;同时凹槽可以减小栅源、栅漏漂移区沟道厚度,并调制了栅极及漂移区的电场分布,在不减小沟道电流的情况下获得高的击穿电压,从而提高了MESFET器件的功率输出密度。

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