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利用相长干涉电磁辐射的热处理系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080025851.1
  • IPC分类号:A61N1/40
  • 申请日期:
    2010-06-10
  • 申请人:
    高通股份有限公司
著录项信息
专利名称利用相长干涉电磁辐射的热处理系统
申请号CN201080025851.1申请日期2010-06-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-11-28公开/公告号CN102802724A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61N1/40IPC分类号A;6;1;N;1;/;4;0查看分类表>
申请人高通股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞利浦医疗信息股份有限公司,胶囊技术股份有限公司当前权利人飞利浦医疗信息股份有限公司,胶囊技术股份有限公司
发明人格雷戈里·G·罗丝
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人宋献涛
摘要
方法和系统实现使用微波或其它电磁辐射来热处理主体的一部分而不危害所述主体的其它部分。在实施例中,多个电磁辐射发射器定位于热处理系统内且耦合到控制处理器。所述电磁辐射可作为伪随机波形来发射且可为微波辐射。所述控制处理器协调所述发射器以使得所发射电磁辐射在处理体积内相长地干涉,同时穿过所述主体的其余部分的辐射随机地干涉或表现为噪声。因此,在其中所述电磁辐射波形同相地到达的体积中,所有所述发射器的功率相长地相加,从而导致显著的温度上升,同时所述主体的其余部分暴露于低得多的平均功率电平且因此较低的温度上升。

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