首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201020557764.8
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62
申请日期：
2010-10-12
申请人：
北京吉乐电子集团有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管
申请号	CN201020557764.8	申请日期	2010-10-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	北京吉乐电子集团有限公司	申请人地址	北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京燕东微电子有限公司	当前权利人	北京燕东微电子有限公司
发明人	傅希全;张木荣
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	孙大为

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括有热沉和半导体芯片，热沉开设有反光腔，半导体芯片键合在反光腔内，热沉上至少固定有一根贯穿热沉并与热沉绝缘的引脚，该引脚与半导体芯片电联接，在热沉上固定有透明的包封树脂，包封树脂将热沉的反光腔连同半导体芯片以及芯片与引脚电联接的部分一起封于其内，使包封树脂兼具有密封保护和光学透镜的作用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供