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半导体工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010128668.X
  • IPC分类号:H01L21/66;H01L23/544
  • 申请日期:
    2020-02-28
  • 申请人:
    芯恩(青岛)集成电路有限公司
著录项信息
专利名称半导体工艺方法
申请号CN202010128668.X申请日期2020-02-28
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113327863A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人芯恩(青岛)集成电路有限公司申请人地址
山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司当前权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司
发明人林光启;陈真;刘晨旭;邱文莹
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种半导体工艺方法,包括步骤:1)提供背景板,用定位标记点于背景板上形成矩形;2)将晶圆背面朝上放置于定位标记点的矩形内,拍照以得到类椭圆形的晶圆图片和定位标记点;3)对图片进行编辑,以对应晶圆边缘缺口和缺陷的位置做标记;4)找出图片上的晶圆边缘、缺陷、边缘缺口、定位标记点;5)把定位标记点变换回与步骤1)尺寸相同的矩形;6)把缺陷和边缘缺口变换回原晶圆背面的位置,重建图片深度失真;7)对晶圆进行镜面翻转;8)将晶圆的正面缺陷位置和背面缺陷位置进行叠加以识别出具有正面缺陷和背面缺陷中的至少一种的芯片。本发明有助于将晶圆的背面缺陷准确地反映到晶圆正面以准确地检测出所有缺陷芯片。

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