芯片防静电保护电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200720144306.X
IPC分类号：H02H9/00;H01L23/60
申请日期：
2007-11-22
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	芯片防静电保护电路
申请号	CN200720144306.X	申请日期	2007-11-22
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H9/00 用于限制过电流或过电压而不切断电路的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合见该机械或设备的有关小类）	IPC分类号	H;0;2;H;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	钱文生;刘俊文
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一钳位二极管和－N型晶体管，钳位二极管阴极接芯片内部电路的外部信号输入端，阳极接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于钳位二极管的反向击穿电压，而且所述N型晶体管的栅和结的击穿电压以及芯片内部电路的栅和结的击穿电压高于钳位二极管的反向击穿电压。采用该芯片防静电保护电路能大大提高防静电保护的能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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