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具有超晶格结构的半导体晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680072531.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2016-10-19
  • 申请人:
    罗伯特·博世有限公司
著录项信息
专利名称具有超晶格结构的半导体晶体管
申请号CN201680072531.9申请日期2016-10-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-11-06公开/公告号CN108770377A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人罗伯特·博世有限公司申请人地址
德国斯图加特 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗伯特·博世有限公司当前权利人罗伯特·博世有限公司
发明人T·雅克;M·格里布;C·T·班茨哈夫;M·兰巴赫
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人郭毅
摘要
根据本发明提出一种晶体管(1),其包括:第一掺杂类型的衬底(2);所述衬底(2)上方的、所述第一掺杂类型的外延层(3);所述外延层(3)上方的、与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的通道层(4);所述通道层(4)中的多个沟槽(8),所述沟槽具有位于所述沟槽(8)内部的栅电极(9)并且由所述通道层(4)上方的、所述第一掺杂类型的源极连接端(6)包围;布置在所述栅电极(9)下方的、所述第二掺杂类型的多个屏蔽区域(7)。根据本发明,所述屏蔽区域(7)在所述沟槽(8)下方彼此形成所述屏蔽区域(7)的复合体,并且为了接通,将多个屏蔽区域(7)共同引至用于所述屏蔽区域的连接端(19)。

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