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用于形成具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202080001475.6
IPC分类号：H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
申请日期：
2020-07-08
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于形成具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件的方法
申请号	CN202080001475.6	申请日期	2020-07-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112106199A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/1157 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11578）〔2017.01〕 H01L27/1157 具有单元选择晶体管的，例如，NAND〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;6查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	耿万波;薛磊;刘小欣;高庭庭;程卫华
代理机构	北京永新同创知识产权代理有限公司	代理人	刘健;张殿慧

摘要

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁从外侧到内侧按下述顺序形成各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层。形成各自设置在连续隧穿层的在梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。

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