一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610696080.8
IPC分类号：C30B28/06;C30B29/06
申请日期：
2016-08-19
申请人：
西安华晶电子技术股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法
申请号	CN201610696080.8	申请日期	2016-08-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-26	公开/公告号	CN106048718A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	西安华晶电子技术股份有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区锦业二路91号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安华晶电子技术股份有限公司	当前权利人	西安华晶电子技术股份有限公司
发明人	刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平
代理机构	西安创知专利事务所	代理人	谭文琰

摘要

本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法，包括步骤：一、熔化及排杂，过程如下：101、熔化：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，并向多晶硅铸锭炉内充入惰性气体进行保压；102、降压排杂；103、熔化后期排杂：先将多晶硅铸锭炉的气压进行升压，再对硅料继续熔化，并通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1，c为多晶硅铸锭炉的顶侧比系数；二、长晶及同步排杂：通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，通过熔料后期同步排杂、降压排杂与长晶过程同步排杂有效减少铸锭成品的硬质点，能有效提高铸锭成品的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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