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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有可施加至靶材的射频电源的物理气相沉积等离子体反应器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680000183.0
  • IPC分类号:C23C14/35
  • 申请日期:
    2006-01-30
  • 申请人:
    应用材料股份有限公司
著录项信息
专利名称具有可施加至靶材的射频电源的物理气相沉积等离子体反应器
申请号CN200680000183.0申请日期2006-01-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-02-13公开/公告号CN101124350
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人应用材料股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人卡尔·M·布朗;约翰·皮比通;瓦尼特·梅塔
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;梁挥
摘要
一种物理气相沉积反应器包含一真空腔室、一耦接到腔室上的真空泵、一耦接到腔室的工艺气体入口以及一耦接到工艺气体入口的工艺气体源;其中该真空腔室包含一侧壁、一顶板与接近腔室底面的一晶片支撑底座。金属溅射靶材位于顶板上且高压直流源耦接到溅射靶材上。射频等离子体源功率产生器耦接到金属溅射靶材上,且具有适合激发运动电子的频率。优选地,晶片支撑底座包含静电吸盘,以及耦接到晶片支撑底座上的一射频等离子体偏压功率产生器,所述射频等离子体偏压功率产生器具有适于将能源耦合到等离子体离子的频率。优选地,具有直径超过约0.5英寸的固体金属射频馈入杆(feedrod)与金属靶材啮合,此射频馈入杆轴向延伸于靶材上方,并且所述射频馈入杆穿过顶板并耦接到射频等离子体源功率产生器上。

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