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一种四值忆阻器仿真器的实现电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811156823.8
  • IPC分类号:G06F17/50
  • 申请日期:
    2018-09-30
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种四值忆阻器仿真器的实现电路
申请号CN201811156823.8申请日期2018-09-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-12-07公开/公告号CN108959837A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人王光义;董玉姣;王晓炜;应加捷
代理机构杭州千克知识产权代理有限公司代理人周希良
摘要
本发明公开了一种四值忆阻器仿真器的实现电路,本发明包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8、U9、U10、U11,集成运算放大器U1连接输入端,即四值忆阻器的电压u和电流i的测试端;集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9、U10、U11用于实现积分运算、求和运算和反相运算,求得控制忆导值的状态变量,得到需要的忆导控制函数。通过乘法器U4、U5及集成运算放大器U1的反相加法运算,得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现四值忆阻器特性的仿真器,用以模拟四值忆阻器的伏安特性,便于对四值忆阻器进行实验和应用研究。

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