Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710810511.3
IPC分类号：C23C14/46;C23C14/16;C23C14/58
申请日期：
2017-09-11
申请人：
云南大学

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专利名称	Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法
申请号	CN201710810511.3	申请日期	2017-09-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-19	公开/公告号	CN107604336A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/46 用外部离子源产生的离子束法（C23C 14/40优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;4;6;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	云南大学	申请人地址	云南省昆明市翠湖北路2号云南大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	云南大学	当前权利人	云南大学
发明人	杨宇;张瑾;邱峰;王茺;童领
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于复合材料制备技术领域，提供了一种Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法，采用离子束溅射法制备Si基Ge掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤：将Si基石墨烯基片放入生长室，抽真空后通过Ge沉积（200~800℃）、退火(0~30min)工艺获得Si基Ge掺杂石墨烯复合材料。本发明优势：Si基复合材料可与现行成熟Si微电子工艺兼容；实现了Ge对石墨烯中C原子的取代掺杂，形成Ge‑C键合；避免化学法在原子周围产生支链，及支链势垒影响载流子的输运特性。本发明的复合材料具有高载流子浓度和迁移率，可用于微电子器件、太阳能电池及红外探测等领域。

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