灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02124461.8
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-26
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法
申请号	CN02124461.8	申请日期	2002-06-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-02-05	公开/公告号	CN1395294
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	柴田巧
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚

摘要

本发明提供了一种灰化装置，一种灰化方法，和一种用于制造半导体器件的方法，该装置和方法能够减少残留在被处理体上的异物。该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤在底膜1上形成氮化钛膜2；在氮化钛膜2上涂敷光致抗蚀膜，将该光致抗蚀膜曝光、显影；使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻加工装置，以光致抗蚀膜4a为掩膜，对氮化钛膜2进行蚀刻；将氧气及氮气的混合气体导入光致抗蚀膜附近，并将该气体进行等离子化处理，从而对光致抗蚀膜进行灰化；将水蒸汽导入氮化钛膜附近，并将该气体进行等离子化处理，从而对氮化钛膜上的异物进行灰化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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