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一种可控硅型静电放电器件及集成电路

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020759167.7
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L29/06
  • 申请日期:
    2020-05-09
  • 申请人:
    杰华特微电子(杭州)有限公司
著录项信息
专利名称一种可控硅型静电放电器件及集成电路
申请号CN202020759167.7申请日期2020-05-09
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人杰华特微电子(杭州)有限公司申请人地址
浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杰华特微电子股份有限公司当前权利人杰华特微电子股份有限公司
发明人胡涛
代理机构暂无代理人暂无
摘要
公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路,该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础,将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区,提高了N阱区的寄生电阻,使其在ESD放电电流下的压降提升更快,使寄生PNP管的开启速度更快,提高可控硅型静电放电器件的开启速度,提高了静电放电保护水平。该集成电路包括该可控硅型静电放电器件。本实用新型的可控硅型静电放电器件的结构改进简易,在无工艺成本增加的情况下提升了的可控硅型静电放电器件的开启速度,提升了静电放电防护水平。

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