高散热的mos器件以及电子设备

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201721714474.8
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/373
申请日期：
2017-12-11
申请人：
深圳双湖威立电子科技有限公司

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专利名称	高散热的mos器件以及电子设备
申请号	CN201721714474.8	申请日期	2017-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人	深圳双湖威立电子科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市福田区彩田路西红荔路南中银花园办公楼A栋21Cb-23 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳双湖威立电子科技有限公司	当前权利人	深圳双湖威立电子科技有限公司
发明人	曾剑波
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供一种高散热的mos器件，所述器件包括mos管本体，所述mos管本体侧边延伸有多个引脚以及一固定部，所述mos管本体固定在一散热基板上，所述mos管本体套设于一散热罩中，所述引脚和所述固定部从所述散热罩的侧边穿出，所述散热罩包括设于散热罩内设有第一散热翅片，所述散热罩外表设有第二散热翅片，所述第一散热翅片抵住所述mos管本体，所述第一散热翅片之间的空隙中填充有导热胶，所述散热罩通过所述导热胶固定在所述mos管本体上。本实用新型还提供一种电子设备。本实用新型能够有效地提高mos器件的散热效率，能够提高mos器件的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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