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钴镍双金属氢氧化物纳米片/氮化碳包覆氮掺杂中空石墨烯球复合材料及其制备方法和应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811469662.8
  • IPC分类号:H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36
  • 申请日期:
    2018-12-04
  • 申请人:
    浙江理工大学
著录项信息
专利名称钴镍双金属氢氧化物纳米片/氮化碳包覆氮掺杂中空石墨烯球复合材料及其制备方法和应用
申请号CN201811469662.8申请日期2018-12-04
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2019-02-01公开/公告号CN109300703A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/24IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;3;6查看分类表>
申请人浙江理工大学申请人地址
浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江理工大学当前权利人浙江理工大学
发明人蒋仲庆;郝晓琼
代理机构南京正联知识产权代理有限公司代理人顾伯兴
摘要
本发明公开了一种钴镍双金属氢氧化物纳米片/氮化碳包覆的氮掺杂中空石墨烯球复合材料及其制备方法和作为超级电容器电极材料的应用,其结构单元为钴镍双金属氢氧化物纳米片和氮化碳包覆的氮掺杂中空石墨烯球,外观形貌为3D球形,比表面积为100~1000m2/g,平均孔径为1~200nm。制备方法步骤包括:聚苯乙烯小球的制备,聚苯胺包覆石墨烯球的制备,氮化碳包覆氮掺杂中空石墨烯球的制备以及钴镍双金属氢氧化物纳米片/氮化碳包覆的氮掺杂中空石墨烯球复合材料的制备;本发明产品可有效的解决传统制备技术过程中钴镍双金属氢氧化物单元结构严重团聚问题,为制备比表面积大、柔性好、比电容量高和稳定性好的电极材料提供一种新方法。

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