首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610142449.7
IPC分类号：H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238
申请日期：
2006-10-25
申请人：
松下电器产业株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN200610142449.7	申请日期	2006-10-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-02	公开/公告号	CN1956222
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	赤松晋
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李贵亮

摘要

提供一种驱动力高的半导体装置。在半导体装置(11)的活性区域(10)形成有栅绝缘膜(13)及栅电极(14)。)在栅电极(14)的侧面上形成有具有L字型的剖面形状的侧壁(16)。在半导体衬底(11)中位于栅电极(14)及侧壁(16)的外侧的区域形成有源·漏区域(18)。在栅电极(14)的上面上及侧壁的表面上形成有具有应力的应力衬垫膜(19)。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供