空白掩模和使用该空白掩模制造光掩模的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810088419.1
IPC分类号：G03F1/00;G03F1/14
申请日期：
2008-03-26
申请人：
海力士半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	空白掩模和使用该空白掩模制造光掩模的方法
申请号	CN200810088419.1	申请日期	2008-03-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-25	公开/公告号	CN101373322
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;1;/;1;4查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	河泰中
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	彭久云

摘要

本发明公开了一种空白掩模和使用该空白掩模制造光掩模的方法。光掩模使用包括碳层和氧化物层的空白掩模而形成于透明衬底的目标层上。所述碳层和氧化物层布置在蚀刻目标层上。氧化物层通过选择性地暴露所述蚀刻目标层的光刻而形成为氧化物层图案。碳层图案通过使用氧化物层图案蚀刻所述碳层而形成。蚀刻目标层图案通过使用所述碳层图案作为硬掩模蚀刻所述蚀刻目标层而形成。因此，碳层的足够的厚度可以使用采用所述氧化物层和碳层的蚀刻选择性特性的薄氧化物层图案而被蚀刻。此外，所述蚀刻目标层图案可以具有预定的垂直轮廓。碳层图案可以使用氧等离子体被去除而不损坏下面的蚀刻目标层图案。

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