与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法

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专利名称	与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法
申请号	CN00131662.1	申请日期	2000-10-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-07-04	公开/公告号	CN1302080
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	摩托罗拉公司	申请人地址	美国得克萨斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞思卡尔半导体公司	当前权利人	飞思卡尔半导体公司
发明人	加莫·拉姆达尼;拉文德兰纳特·德鲁帕德;志仪·J·于
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

一种半导体构造的制造方法，具有下述步骤：准备具有表面(12)的硅衬底(10)；用原子层淀积法在硅衬底(10)的表面(12)上边形成籽晶层(20；20’)。其特征是：在籽晶层(20；20’)上边用原子层淀积法(ALD)形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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