一种各向异性膜生长的方法及气体团簇反应器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110447250.X
IPC分类号：C23C16/42;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/02;H01L21/02
申请日期：
2021-04-25
申请人：
江苏集创原子团簇科技研究院有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种各向异性膜生长的方法及气体团簇反应器
申请号	CN202110447250.X	申请日期	2021-04-25
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113186512A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/42 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/42 硅化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	江苏集创原子团簇科技研究院有限公司	申请人地址	江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-500 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏集创原子团簇科技研究院有限公司	当前权利人	江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
发明人	曹路;宋凤麒;刘翊;张同庆
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	陈建和

摘要

一种在基板上形成低温硅化物膜的方法，将原料气体供应到团簇形成室以形成气体团簇；将气体团簇移至电离加速室以形成气体团簇离子束GCIB；将GCIB注入处理室中，该处理室容纳基板；通过注入装置将前驱物气体注入到处理室中，其中注入装置以使得前驱物气体到达基板的局部区域的方式定位在处理室的顶部上；和通过在前驱物气体存在下用GCIB轰击基板，在基板上形成硅化物膜；将所述GCIB注入所述处理室是通过位于所述电离加速室与所述处理室之间的孔执行的，以形成准直的GCIB。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供