碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110043761.5
IPC分类号：H01L35/34;H01L35/16
申请日期：
2021-01-13
申请人：
武汉理工大学

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著录项信息

专利名称	碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法
申请号	CN202110043761.5	申请日期	2021-01-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-16	公开/公告号	CN112670399A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/34 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;H;0;1;L;3;5;/;1;6查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	苏贤礼;陶奇睿;唐新峰;张政楷
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	张秋燕

摘要

本发明公开了一种碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法，其特征在于采用碲化铋基单晶材料通过烧结制备碲化铋基热电材料块体，在烧结步骤之前采用保护气氛将碲化铋基单晶材料研磨成粉体并退火，然后再进行烧结，从而得到消除类施主效应的碲化铋基热电材料。本发明提出了消除碲化铋基热电材料中类施主效应的解决方案，有助于材料内载流子浓度的稳定。相比于产生类施主效应的样品，类施主效应得以抑制的样品的载流子浓度显著降低，基本与样品破碎前保持一致，处于碲化铋基热电材料的最优载流子浓度区间；同时Seebeck系数的绝对值和功率因子均显著提升，总热导率显著降低，最终无量纲热电优值ZT也得以优化。

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