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一种应用于Micro-LED的外延片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023092612.8
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32
申请日期：
2020-12-21
申请人：
江苏华兴激光科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种应用于Micro-LED的外延片
申请号	CN202023092612.8	申请日期	2020-12-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	江苏华兴激光科技有限公司	申请人地址	江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏华兴激光科技有限公司	当前权利人	江苏华兴激光科技有限公司
发明人	魏晓骏;罗帅;徐鹏飞;季海铭
代理机构	武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	邓寅杰

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于Micro‑LED的外延片，其不同之处在于：其包括衬底，以及在所述衬底上由下至上依此生长的缓冲层、应力和翘曲控制层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层、P型半导体层和接触层。本实用新型能够有效控制底层外延时的翘曲表现和应力，有效提升边沿与中心良率的一致性。

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