一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010555083.2
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/06;H01L33/44
申请日期：
2010-11-23
申请人：
吉林大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法
申请号	CN201010555083.2	申请日期	2010-11-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-18	公开/公告号	CN102064251A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4查看分类表>
申请人	吉林大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区前进大街2699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林大学	当前权利人	吉林大学
发明人	杜国同;梁红伟;李国兴
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	张景林;刘喜生

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电极6、下电极7构成，特征在于：衬底是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面即出光面被打毛粗化或图形化，电极7被制备在其余5％～20％面积的衬底1上，上电极6覆盖在盖层5上面，并制备成兼有反射镜功能。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供