一种半导体材料附接方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911017819.8
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/66;H01L21/60
申请日期：
2019-10-24
申请人：
苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体材料附接方法
申请号	CN201911017819.8	申请日期	2019-10-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-07	公开/公告号	CN110767577A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司	申请人地址	江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司	当前权利人	苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司
发明人	闫一方
代理机构	北京劲创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王志敏

摘要

本发明提供一种半导体材料附接方法，涉及材料附接技术领域。该半导体材料附接方法，包括以下步骤：S1.准备半导体基板，将基板利用HCl溶液进行冲洗，反复冲洗3‑5次，然后取出并利用蒸馏水去除基板表面的溶液成分，最后将基板送入到真空环境中进行干燥处理；S2.准备好工作台、多自由度机械爪、图像采集头、压力传感器与PLC控制器，多自由度机械爪、图像采集头与PLC控制器均设置在工作台上。通过多自由度机械爪夹持半导体芯片，然后PLC控制器计算出多自由度机械爪的行走路线以及行走距离，准确的将半导体芯片送达到指定位置，大大减少了半导体芯片的位置出现误差的问题，降低了次品率，保证了半导体材料后期的正常使用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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