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半导体结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920148750.1
  • IPC分类号:H01L21/60;H01L23/48
  • 申请日期:
    2019-01-28
  • 申请人:
    中芯长电半导体(江阴)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构
申请号CN201920148750.1申请日期2019-01-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人中芯长电半导体(江阴)有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司当前权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司
发明人周祖源;赵强;吴政达;林正忠
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本实用新型提供一种半导体结构,半导体结构包括基底及位于基底上表面的重新布线层;重新布线层包括介质层,介质层中包括贯穿介质层的沟槽;金属种子层,金属种子层覆盖介质层的上表面以及沟槽的底部及侧壁;第一金属层,第一金属层填满沟槽;第二金属层,第二金属层覆盖第一金属层,且第二金属层的宽度大于第一金属层的宽度,并覆盖位于介质层的上表面的金属种子层。本实用新型通过填满沟槽的第一金属层,可提高重新布线层的平坦度,避免在形成的重新布线层中产生凹槽,从而有利于后续制程工艺,并降低多层叠加的工艺风险,进一步降低工艺难度及成本。

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