一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211136668.X
IPC分类号：G01N27/414;G01N27/333;C23C14/30;C23C14/18
申请日期：
2022-09-19
申请人：
上海应用技术大学

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著录项信息

专利名称	一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法
申请号	CN202211136668.X	申请日期	2022-09-19
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2022-12-06	公开/公告号	CN115436447A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/414 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/414 对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;4;;;G;0;1;N;2;7;/;3;3;3;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8查看分类表>
申请人	上海应用技术大学	申请人地址	上海市奉贤区海泉路100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海应用技术大学	当前权利人	上海应用技术大学
发明人	李曼曼;金妍;吕旖雯;徐丘雨
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	王颖

摘要

本发明涉及一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法，包括衬底(1)、绝缘层(2)、敏感膜为RuO2‑Ta2O5的有源层(3)、漏电极(4)以及源电极(5)，具体制备步骤为在衬底(1)上制备绝缘层(2)，在绝缘层(2)上通过涂覆制备敏感膜为RuO2‑Ta2O5的有源层(3)，在有源层(3)上制备漏电极(4)和源电极(5)，再将有源层(3)、漏电极(4)和源电极(5)通过环氧树脂封装形成传感器槽，即得到基于RuO2‑Ta2O5敏感膜的离子敏场效应晶体管型pH传感器。与现有技术相比，本发明采用RuO2和Ta2O5作为有源层的敏感膜材料，能够减小漂移；本发明所制备的pH传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、体积小等优点，制备简单，可大规模生产，具有应用前景。

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