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用于制造发光二极管的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080044047.8
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L33/00
  • 申请日期:
    2010-09-28
  • 申请人:
    欧司朗光电半导体有限公司
著录项信息
专利名称用于制造发光二极管的方法
申请号CN201080044047.8申请日期2010-09-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102576656A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人欧司朗光电半导体有限公司申请人地址
德国雷根斯堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人欧司朗光电半导体有限公司当前权利人欧司朗光电半导体有限公司
发明人彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人张春水;田军锋
摘要
提出了一种制造发光二极管的方法,其具有下述步骤:-提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1);-沿生长方向(R)在硅表面(1a)上沉积层序列(100),并且-将发光二极管结构(16)沉积到层序列(100)上,其中-层序列(100)包含以氮化镓形成的GaN层(5),-层序列包含以氮化硅形成的掩膜层(12),并且-掩膜层(12)沿生长方向(R)跟随GaN层(5)的至少一部分。

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