加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680026053.4
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L29/792
  • 申请日期:
    2006-05-17
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠
申请号CN200680026053.4申请日期2006-05-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-07-16公开/公告号CN101223646
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;9;2查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人阿勒普·巴塔查里亚
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人王允方
摘要
本发明描述非易失性存储器装置和阵列,其便于在NOR或NAND存储器结构中的逆向和正常模式的浮动节点存储器单元中使用可实现直接隧道编程和擦除的具有非对称隧道势垒的带隙设计的栅极堆叠,同时维持较高的电荷阻挡势垒和较深的载流子捕获点以实现良好的电荷保持。所述低电压直接隧穿编程和擦除能力减少了高能量载流子对所述栅极堆叠和晶格的损害,从而减少写入疲劳并增加装置使用期限。所述低电压直接隧道编程和擦除能力还通过低电压设计和进一步的装置特征缩放来实现尺寸减小。本发明的存储器单元还可实现多位存储。这些特征使得本发明的存储器装置实施例可在通用存储器的定义范围内操作,从而能够取代系统中的DRAM和ROM两者。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供