形成低应力多层金属化结构和无铅焊料端电极的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510025198.X
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52
申请日期：
2005-04-15
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	形成低应力多层金属化结构和无铅焊料端电极的方法
申请号	CN200510025198.X	申请日期	2005-04-15
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2006-10-18	公开/公告号	CN1848381
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	王津洲
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	陈红

摘要

本发明提供了一种用于制造焊盘结构的技术。方法包括提供衬底。在衬底上方形成金属盘和钝化层。钝化层包括一开口以暴露金属盘的一部分。至少在金属盘的暴露部分上方沉积第一膜。在第一膜上方沉积第二膜。在衬底上方沉积光刻胶层，并且在光刻胶层中金属盘的所述部分正上方形成沟槽。在沟槽中第二膜的上方电镀第一层，并且在沟槽中第一层的上方电镀阻挡层。在沟槽中阻挡层的上方电镀包括锡的端电极。去除光刻胶层。此外，本方法包括进行刻蚀，以去除位于预定区域之外的第二膜和第一膜。然后回流端电极。阻挡层通过避免锡从端电极到第一层的扩散，防止在第一层附近形成金属间化合物。在具体实施例中，第一层包括镍的阻挡层下方的应力释放铜。

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