积木式散热、电路集成化LED倒装芯片光源陶瓷基座

发明专利有效专利

申请号：
CN201610229983.5
IPC分类号：H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48
申请日期：
2016-04-14
申请人：
河北大旗光电科技有限公司

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专利名称	积木式散热、电路集成化LED倒装芯片光源陶瓷基座
申请号	CN201610229983.5	申请日期	2016-04-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105720184A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/64 热吸收或冷却元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	河北大旗光电科技有限公司	申请人地址	河北省石家庄市正定县科技工业园旺泉大街变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北大旗光电科技有限公司	当前权利人	河北大旗光电科技有限公司
发明人	荆允昌;李亚平;李彦卿
代理机构	石家庄海天知识产权代理有限公司	代理人	田文其

摘要

一种积木式散热、电路集成化LED倒装芯片光源陶瓷基座，包括氧化铝或氮化铝陶瓷基座本体、陶瓷基座本体上端面上的溅镀铜层腐蚀制得的印刷电路和可组合呈环状装置在陶瓷基座本体外缘的陶瓷或金属大散热模块。由于座体采用积木式组合结构设计，组件可批量化、标准化和通用化生产，能够取得上市快、制造成本低、质量可保障的积极效果，且通过不断创新还能使产品越来越个性化，满足客户的不同定制需求；而固晶LED倒装芯片的印刷电路采用溅镀技术在陶瓷基座本体的上端面上直接溅镀一铜层，然后通过腐蚀形成，不仅可缩短LED倒装芯片散热路径、降低热阻、提高导热性能、延长使用寿命，而且还使LED倒装芯片照明产品结构简化、生产工艺流程缩短、生产效率更高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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