光纤用四氯化硅制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910243899.9
IPC分类号：C01B33/08
申请日期：
2009-12-24
申请人：
北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司

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著录项信息

专利名称	光纤用四氯化硅制备方法
申请号	CN200910243899.9	申请日期	2009-12-24
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102107875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/08 含卤素的化合物	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;8查看分类表>
申请人	北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京国晶辉红外光学科技有限公司	当前权利人	北京国晶辉红外光学科技有限公司
发明人	苏小平;王铁艳;袁琴;毛威;刘福财;莫杰;武鑫萍
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	郭佩兰

摘要

本发明提供一种光纤用四氯化硅制备方法。它以多晶硅生产过程中产生的高沸点四氯化硅为原料，以不活泼或惰性气体作为保护气氛，在光照的情况下，通入氯气，使三氯氢硅在精馏塔内进行光化反应，同时控制塔釜温度和塔顶温度，选择合适的回流比取料，得到中间产品。将中间产品进一步精馏提纯，得到高纯四氯化硅，其含氢杂质的红外透过率满足光纤用四氯化硅对杂质透过率的要求，金属离子的含量满足光纤用四氯化硅的金属含量标准。本发明优点是：对于去除与和四氯化硅沸点较为接近三氯氢硅极为有效，降低四氯化硅中含氢杂质和金属杂质含量，使得经过本工艺提纯制备的四氯化硅，质量完全满足光纤产品的需要，且反应进行的条件、完全程度较易控制，不会引入其它杂质，可以较为有效和经济的方式以工业规模进行。

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