感测放大器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710031420.X
IPC分类号：G11C16/28
申请日期：
2017-01-17
申请人：
恩智浦美国有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	感测放大器
申请号	CN201710031420.X	申请日期	2017-01-17
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-08-01	公开/公告号	CN106997780A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕 G11C16/28 应用差分读出或基准单元，例如，哑单元〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;8查看分类表>
申请人	恩智浦美国有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩智浦美国有限公司	当前权利人	恩智浦美国有限公司
发明人	乔恩·斯科特·乔伊
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	倪斌

摘要

在非易失性存储器中，执行感测操作以读取非易失性(NV)元件的方法包括第一阶段和第二阶段。在所述第一阶段期间，经由感测路径晶体管将所述NV元件耦合到放大器级的第一输入端处的第一电容性元件且经由参考感测路径晶体管将参考单元耦合到所述放大器级的第二输入端处的第二电容性元件。在所述第二阶段期间，经由所述感测路径晶体管将所述NV元件耦合到所述第二电容性元件且经由所述参考感测路径晶体管将所述参考单元耦合到所述第一电容性元件。在所述第一阶段期间，分别将所述第一电容元件和第二电容元件初始化为表示所述NV元件和参考单元的状态的电压。在所述第二阶段期间，将所述两个电压之间的电压差分放大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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