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一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110349682.7
  • IPC分类号:C23C14/34;C23C14/35;B22F3/15;C22C19/05;C22C27/06
  • 申请日期:
    2021-03-31
  • 申请人:
    宁波江丰电子材料股份有限公司
著录项信息
专利名称一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法
申请号CN202110349682.7申请日期2021-03-31
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-09公开/公告号CN113088901A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;B;2;2;F;3;/;1;5;;;C;2;2;C;1;9;/;0;5;;;C;2;2;C;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人宁波江丰电子材料股份有限公司申请人地址
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波江丰电子材料股份有限公司当前权利人宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;黄东长
代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司代理人王岩
摘要
本发明涉及一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法,所述热等静压制备方法包括:先准备Cr含量为30‑80wt%的镍铬合金粉,装入模具并封口;然后依次进行脱气处理、热等静压处理以及机加工,得到镍铬合金溅射靶材。本发明所述热等静压制备方法采用热等静压工艺,不仅可以制备得到致密度≥99%、晶粒尺寸细小、内部结构均匀的高铬含量的镍铬合金溅射靶材,还可以保证镍铬合金溅射靶材的磁通量≥99%,符合半导体等高精端产业的溅射要求。

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