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一种半导体封装结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910390440.5
  • IPC分类号:H01L21/56H01L23/31H01L23/498
  • 申请日期:
    2019-05-10
  • 申请人:
    中芯长电半导体(江阴)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体封装结构及其制备方法
申请号CN201910390440.5申请日期2019-05-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2020-11-10公开/公告号CN111916362A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/56IPC分类号H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498查看分类表>
申请人中芯长电半导体(江阴)有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司当前权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司
发明人吕娇;陈彦亨;吴政达;林正忠
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,所述半导体封装结构包括:待封芯片,所述待封芯片包括衬底及位于衬底之上的金属化层,其中,所述待封芯片上表面带有对位标记;塑封层,形成于所述待封芯片上表面,所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面,与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层;重新布线层,位于所述塑封层上表面,所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层。通过引入可以保护对位标记不被污染的半密封空腔,能够在塑封后,不用其他额外工艺,就可以直接暴露出对位标记,对于后续制程提供精确的定位。

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