一种异吲哚衍生物、其用途及包含其的OLED器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201910280960.0
IPC分类号：C07D487/14;H01L51/54
申请日期：
2019-04-09
申请人：
上海和辉光电有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种异吲哚衍生物、其用途及包含其的OLED器件
申请号	CN201910280960.0	申请日期	2019-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111793072A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07D487/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07D 杂环化合物（高分子化合物入C08）〔2〕 C07D487/00 在稠环系中含有氮原子作为仅有的杂环原子的杂环化合物，不包含在C07D 451/00至C07D 477/00组中〔2，5〕 C07D487/12 稠合系中含有3个杂环〔2〕 C07D487/14 邻位稠合系〔2〕	IPC分类号	C;0;7;D;4;8;7;/;1;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4查看分类表>
申请人	上海和辉光电有限公司	申请人地址	上海市金山区九工路1568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海和辉光电股份有限公司	当前权利人	上海和辉光电股份有限公司
发明人	黄雪明;李丹丹
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋

摘要

本发明提供了一种异吲哚衍生物、其用途及包含其的OLED器件。所述异吲哚衍生物是具有式I结构的化合物。所述OLED器件包括：阳极、阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层中至少含有发光层、空穴注入层和空穴传输层；所述空穴注入层包含主体材料和掺杂材料，所述掺杂材料选自上述异吲哚衍生物中的一种或至少两种的组合。本发明提供的异吲哚衍生物为电子受体，可用于OLED器件空穴注入层的掺杂，具有降低OLED器件的开启电压，提高其寿命和发光效率的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供