一种用于OTP外围电路的电平转换电路及转换方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910312860.8
IPC分类号：H03K19/0185
申请日期：
2009-12-31
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于OTP外围电路的电平转换电路及转换方法
申请号	CN200910312860.8	申请日期	2009-12-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-06	公开/公告号	CN102118156A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/0185 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/0175 耦合装置；接口装置（用于数字计算机的接口装置入G06F 3/00，G06F 13/00）〔5〕 H03K19/0185 仅使用场效应晶体管的〔5〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;1;8;5查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	王琴;杨潇楠;刘明;王永
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	王建国

摘要

本发明涉及电压电平转换电路设计领域，具体涉及一种用于OTP外围电路的电平转换电路，包括字线译码器(201)，第一级缓冲器(BUF1)，CMOS反相器(202)，第一PMOS管(T1)，第二PMOS管(T2)，第一NMOS管(T3)，第二NMOS管(T4)，第二级缓冲器(BUF2)，字线驱动电路(206)。本发明通过PMOS管和NMOS管来对电平进行调节与隔离，能够将从低电源电压工作电路的输出信号电平转换为高电源电压的信号，输入到高电源电压工作电路，解决了OTP存储器外围电路中不同电平电压之间转换与隔离的问题。

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