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DRAM部分刷新的方法和装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200480024197.7
IPC分类号：G11C11/406
申请日期：
2004-06-30
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	DRAM部分刷新的方法和装置
申请号	CN200480024197.7	申请日期	2004-06-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-09-27	公开/公告号	CN1839446
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/406 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/406 刷新或电荷再生周期的管理或控制〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;6查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	史俊;阿尼美什·米什拉
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	钱慰民

摘要

根据存储器器件内的每一行存储单元是否被标记为有数据要保留，选择性地刷新每一行存储单元的存储器器件、刷新逻辑和方法。

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