制造设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200410069433.9
IPC分类号：H01L51/56;H05B33/10;H05B33/14
申请日期：
2004-06-26
申请人：
株式会社半导体能源研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造设备
申请号	CN200410069433.9	申请日期	2004-06-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-09	公开/公告号	CN1578549
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;H;0;5;B;3;3;/;1;4查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	坂田淳一郎
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	曾祥凌

摘要

本发明的目的是提供一种气相淀积设备，该设备通过提高EL材料的利用效率而减少制造成本，并在形成EL层的产量或均匀性上是优越的，本发明并且提供气相淀积方法。本发明的特征是，在气相淀积室内，使安装了储藏蒸发材料的容器的蒸发源托架104a、105a相对于衬底101，只向一个方向(例如Z轴方向)以一定速度移动(或来回移动)，而且，在和蒸发源托架的移动方向直交的方向(例如X轴方向)上以一定间隔搬运衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供