有氮化物半导体薄膜的基底及该薄膜的生长方法

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专利名称	有氮化物半导体薄膜的基底及该薄膜的生长方法
申请号	CN200510005040.6	申请日期	2005-01-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-03	公开/公告号	CN1649090
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	LG电子有限公司	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG电子有限公司	当前权利人	LG电子有限公司
发明人	徐廷勋
代理机构	北京金信立方知识产权代理有限公司	代理人	南霆

摘要

本发明涉及一种生长有氮化物半导体薄膜的基底及该氮化物半导体薄膜的生长方法。本发明的优点在于，通过部分蚀刻基底而在基底上形成多个凹槽，在该凹槽内形成防止氮化物半导体纵向生长的脚部，从而氮化物半导体薄膜侧向生长以覆盖脚部的顶部，因此确保了生长高质量的氮化物半导体薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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