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一种反应腔室及具有该反应腔室的等离子体处理系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200810117297.4
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/02;B01J3/03;H01J37/32;H05H1/00;C23C16/00;C23F4/00
申请日期：
2008-07-28
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种反应腔室及具有该反应腔室的等离子体处理系统
申请号	CN200810117297.4	申请日期	2008-07-28
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-02-03	公开/公告号	CN101640165
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;B;0;1;J;3;/;0;3;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;5;H;1;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;0;0;;;C;2;3;F;4;/;0;0查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	当前权利人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
发明人	张之山
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	张天舒;陈源

摘要

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