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改善恢复耐量的二极管结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510103235.8
  • IPC分类号:H01L29/36;H01L29/861
  • 申请日期:
    2015-03-09
  • 申请人:
    江苏中科君芯科技有限公司
著录项信息
专利名称改善恢复耐量的二极管结构
申请号CN201510103235.8申请日期2015-03-09
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-05-27公开/公告号CN104659081A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/36IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1查看分类表>
申请人江苏中科君芯科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏中科君芯科技有限公司当前权利人江苏中科君芯科技有限公司
发明人程炜涛
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;张涛
摘要
本发明涉及一种二极管结构,尤其是一种改善恢复耐量的二极管结构,属于半导体二极管的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述改善恢复耐量的二极管结构,包括半导体基板,所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域;N导电区域与位于半导体基板背面的阴极金属欧姆接触;在N导电区域内设有若干P+区域,所述P+区域与阴极金属欧姆接触。本发明在N导电区域内设置P+区域,当有多个P+区域时,相邻的P+区域间隔分布,且P+区域之间的水平距离与半导体基板的厚度相当,从而不增加阳极空穴浓度下有效改善恢复耐量,并能最大限度地抑制动态损耗增加,安全可靠。

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