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半导体装置制造用薄膜及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910246390.X
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/68
申请日期：
2009-11-27
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置制造用薄膜及其制造方法
申请号	CN200910246390.X	申请日期	2009-11-27
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101752217A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	天野康弘
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种半导体装置制造用薄膜，其是在层叠薄膜上贴合覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其特征在于，相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。

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