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反向导通绝缘栅双极型晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310374500.7
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2013-08-23
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司
著录项信息
专利名称反向导通绝缘栅双极型晶体管
申请号CN201310374500.7申请日期2013-08-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425578A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人张硕;芮强;王根毅;邓小社
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人邓云鹏
摘要
本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管,其包括N型衬底,形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数,工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低,制造难度较小。

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