透明导电膜的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200480001692.6
IPC分类号：H01B13/00;B05D3/02;B05D5/12
申请日期：
2004-12-17
申请人：
株式会社爱发科

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	透明导电膜的形成方法
申请号	CN200480001692.6	申请日期	2004-12-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-18	公开/公告号	CN1723510
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;B;0;5;D;3;/;0;2;;;B;0;5;D;5;/;1;2查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	浮岛祯之;竹井日出夫;石桥晓;厚木勉;小田正明;山口浩史
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王健

摘要

把含有选自铟、锡、锑、铝及锌的金属微粒，这些金属的二种以上的金属组成的合金微粒，或这些微粒的混合物的分散液涂布在基材上后，在真空气氛、惰性气体气氛、还原性气氛中进行烧成，然后，在氧化性气氛中进行烧成。在该氧化性气氛中烧成后，还可以再在还原性气氛中进行烧成。惰性气体气氛是选自稀有气体、二氧化碳及氮的气体的气氛，还原性气氛是选自氢、一氧化碳及低级醇的气体的气氛。由采用上述方法形成的透明导电膜构成的透明电极。采用低温烧成形成具有低电阻且高透过率的透明导电膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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