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一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201610507453.2
IPC分类号：G02F1/035;G02F1/03
申请日期：
2016-06-30
申请人：
派尼尔科技（天津）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构
申请号	CN201610507453.2	申请日期	2016-06-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-12	公开/公告号	CN106019643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/035 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/03 基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯（Pockels）或科尔（Kerr）效应的（G02F 1/061优先）〔2，4，7〕 G02F1/035 在光波导结构中的〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;3;5;;;G;0;2;F;1;/;0;3查看分类表>
申请人	派尼尔科技（天津）有限公司	申请人地址	天津市滨海新区开发区泰华路12号泰达中小企业发展中心3050房间变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	派尼尔科技（天津）有限公司	当前权利人	派尼尔科技（天津）有限公司
发明人	华平壤;陈朝夕
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构，包括钛扩散铌酸锂条形波导、铌酸锂层、二氧化硅缓冲层、共面行波电极、硅基底和下电极层，钛扩散铌酸锂条形波导安装在铌酸锂层的下表面中央，硅基底的上表面覆盖共面行波电极，共面行波电极共三个且其上表面覆盖一层二氧化硅缓冲层，二氧化硅缓冲层共两层且其两层间安装有铌酸锂层。

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