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超结MOSFET器件及芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110554780.4
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2021-05-20
  • 申请人:
    深圳市威兆半导体有限公司
著录项信息
专利名称超结MOSFET器件及芯片
申请号CN202110554780.4申请日期2021-05-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113327982A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人深圳市威兆半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市威兆半导体有限公司当前权利人深圳市威兆半导体有限公司
发明人任敏;李长泽;李泽宏;林泳浩;李伟聪
代理机构深圳市嘉勤知识产权代理有限公司代理人辛鸿飞
摘要
本申请公开一种超结MOSFET器件及芯片。该超结MOSFET器件包括N型外延层以及位于N型外延层上的元胞区和终端区;元胞区包括第一超结结构,第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区,第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极,第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层,第一氧化层的外围设有源极金属;终端区包括第二超结结构,第二超结结构的上表面设有第二P型基区,第二P型基区的上表面设有第二氧化层,第二氧化层上设有第二多晶硅栅极;通过控制第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极的状态,以控制在第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。

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