有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201280015404.7
IPC分类号：G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L29/786
申请日期：
2012-03-22
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法
申请号	CN201280015404.7	申请日期	2012-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-18	公开/公告号	CN103460270A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G09F9/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G09 教育；密码术；显示；广告；印鉴 G09F 显示；广告；标记；标签或铭牌；印鉴 G09F9/00 采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置（其中可变信息永久性的连接在可动支架上的入G09F 11/00） G09F9/30 由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组	IPC分类号	G;0;9;F;9;/;3;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;9;F;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本，大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	美崎克纪
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

有源矩阵基板(1)具有源极电极(32)、漏极电极(33)和含有氧化物半导体的半导体层(31)，在栅极电极(12a)之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层(42)，在栅极绝缘层(42)之上形成有源极电极(32)、漏极电极(33)和半导体层(31)，在栅极绝缘层(42)之上以不覆盖半导体层(31)的方式形成有含有氮化硅的第一保护层(44)，在半导体层(31)之上形成有含有氧化硅的第二保护层(46)。第一保护层(44)覆盖信号线(14)和源极连接线(36)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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