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声表面波复合结构材料和应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810018878.2
  • IPC分类号:H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H9/48;H03H9/42;B32B7/02;B32B33/00;B32B9/00
  • 申请日期:
    2008-01-29
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称声表面波复合结构材料和应用
申请号CN200810018878.2申请日期2008-01-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-07-23公开/公告号CN101227178
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H9/02IPC分类号H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;2;5;;;H;0;3;H;9;/;6;4;;;H;0;3;H;9;/;4;8;;;H;0;3;H;9;/;4;2;;;B;3;2;B;7;/;0;2;;;B;3;2;B;3;3;/;0;0;;;B;3;2;B;9;/;0;0查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市汉口路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人公勋;商晓莉;章德
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武;王鹏翔
摘要
本发明公开了一种应用于如延迟线、滤波器以及谐振器等声表面波器件的温度稳定的复合多层结构材料。由36°-46°Y-XLiTaO3压电单晶基板和沉积其上的一层二氧化碲(TeO2)薄膜构成;声表面波器件结构处在两种材料的界面上。由于压电单晶基板和TeO2薄膜具有相反的温度系数,通过控制薄膜的厚度,可以发挥两种材料的温度补偿效应实现温度稳定性。有高达8%左右的机电耦和系数;可以实现零温度延迟系数(TCD)。实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的厚度比传统的SiO2薄膜薄很多。更容易在工艺上实现。这种结构上制作的器件比在单晶基板上实现的器件更可靠。

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