声表面波复合结构材料和应用

发明专利无效专利

申请号：
CN200810018878.2
IPC分类号：H03H9/02H03H9/25H03H9/64H03H9/48H03H9/42B32B7/02B32B33/00B32B9/00
申请日期：
2008-01-29
申请人：
南京大学

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著录项信息

专利名称	声表面波复合结构材料和应用
申请号	CN200810018878.2	申请日期	2008-01-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-23	公开/公告号	CN101227178
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H9/48;H03H9/42;B32B7/02;B32B33/00;B32B9/00查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市汉口路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	公勋;商晓莉;章德
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司	代理人	汤志武;王鹏翔

摘要

本发明公开了一种应用于如延迟线、滤波器以及谐振器等声表面波器件的温度稳定的复合多层结构材料。由36°-46°Y-XLiTaO3压电单晶基板和沉积其上的一层二氧化碲(TeO2)薄膜构成；声表面波器件结构处在两种材料的界面上。由于压电单晶基板和TeO2薄膜具有相反的温度系数，通过控制薄膜的厚度，可以发挥两种材料的温度补偿效应实现温度稳定性。有高达8%左右的机电耦和系数；可以实现零温度延迟系数(TCD)。实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的厚度比传统的SiO2薄膜薄很多。更容易在工艺上实现。这种结构上制作的器件比在单晶基板上实现的器件更可靠。

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发明授权

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1430330A	2003-07-16	2002-12-27	声表面波元件及其制造方法失效专利	株式会社村田制作所
2	CN1488191A	2004-04-07	2001-10-01	声表面波元件的制造方法和检查装置失效专利	株式会社东芝
3	CN1098823A	1995-02-15	1993-08-07	声学超晶格材料的制备和超高频声学器件无效专利	南京大学

声表面波复合结构材料和应用

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