发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410510986.7
IPC分类号：H01L33/20;H01L33/10
申请日期：
2014-09-29
申请人：
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管及其制造方法
申请号	CN201410510986.7	申请日期	2014-09-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-30	公开/公告号	CN105449062A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司	当前权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司
发明人	邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司	代理人	汪飞亚

摘要

一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体和形成在基体上的缓冲层，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体，所述微结构包括多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构之间形成凹槽，所述缓冲层形成在所述凹槽内并覆盖每一阻挡结构，所述阻挡结构的折射率小于缓冲层的折射率。本发明还提供一种该发光二极管的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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