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一种大容量非易失的内存芯片电路结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220332939.4
  • IPC分类号:G11C11/413
  • 申请日期:
    2012-07-11
  • 申请人:
    冀北电力有限公司唐山供电公司;北京华星恒业电气设备有限公司
著录项信息
专利名称一种大容量非易失的内存芯片电路结构
申请号CN201220332939.4申请日期2012-07-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/413IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人冀北电力有限公司唐山供电公司;北京华星恒业电气设备有限公司申请人地址
河北省唐山市建设北路7号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人冀北电力有限公司唐山供电公司,北京华星恒业电气设备有限公司当前权利人冀北电力有限公司唐山供电公司,北京华星恒业电气设备有限公司
发明人甘景福;韩丹;姜才海;刘福强;袁燕岭;牛冠清;吴超;许自纲
代理机构唐山顺诚专利事务所代理人宴春红
摘要
本实用新型涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构,属于微机系统芯片技术领域。技术方案是:包含多后备扩容芯片(1)、主电源(2)、后备电源一(3)、后备电源二(4)和内存芯片(5),所述多后备扩容芯片(1)的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片(5),多后备扩容芯片(1)通过主电源(2)与常备电源输入相连接,多后备扩容芯片(1)通过后备电源一(3)和后备电源二(4)分别与一个3.6V电池连接。本实用新型的有益效果是:可以大幅提高RAM容量,同时提供不间断的电源供给。

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