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电子装置结构及其形成方法、蚀刻及测量蚀刻深度的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01818654.8
IPC分类号：H01L21/328;H01L21/334;H01F17/00;H01L29/06
申请日期：
2001-11-05
申请人：
LM艾瑞克生电话公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电子装置结构及其形成方法、蚀刻及测量蚀刻深度的方法
申请号	CN01818654.8	申请日期	2001-11-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-02-11	公开/公告号	CN1475030
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/328 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;4;;;H;0;1;F;1;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	LM艾瑞克生电话公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	T·约翰松;H·诺尔斯特伦;C·比约姆安德
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	戈泊;程伟

摘要

一种在集成电路中形成电子装置结构的方法，其包含：提供衬底(11)；在该衬底上形成一钝化层(13)；在该钝化层中形成多个通孔(15)；通过各向同性蚀刻去除该钝化层下的衬底物质，从而在该多个通孔下的衬底中形成至少一第一腔洞(19)；在该钝化层之上设置一电介层(23)来填塞这些通孔，从而形成一薄膜(24)；以及在该薄膜上设置一电子装置(27)，如感应器等。

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